从科技部得知,北京大学朱瑞研究员、龚旗煌院士与合作者进行研究,针对反式结构钙钛矿太阳能电池在光电切换效率上不存在的瓶颈,明确提出了“胍盐辅助二次生长”方法,开创性地构建了钙钛矿薄膜半导体特性的调控,明显减少了器件中非电磁辐射填充的能量损失,在提高器件开路电压方面获得了突破,首次在反式结构器件中取得了多达1.21V的高开路电压(材料带上隙宽度~1.6eV)。同时,在不损失光电流和填满因子等性能参数的情况下,明显提升了反式结构钙钛矿电池的光电切换效率—实验室最低效率超过21.51%。据理解,经中国计量科学研究院证书,器件的光电切换效率高约20.90%,是目前反式结构钙钛矿太阳能电池器件效率的最低记录。钙钛矿太阳能电池按照器件结构可分成月和反式两种结构,比起于月结构,反式结构器件因制取工艺更为非常简单、可低温成膜、无显著回滞效应、合适与传统太阳能电池(硅基电池、铜铟镓硒等)融合制取叠层器件等优点,受到学术界和产业界的注目。
但依然不存在开路电压与理论值差距较小、光电切换效率依然偏高等应用于瓶颈。据报,该院校的此次结果为提高反式钙钛矿太阳能电池器件效率、前进该类新型光伏器件的应用于化发展获取了新思路,可更进一步扩展到钙钛矿叠层太阳能电池以及钙钛矿闪烁器件中,具备潜在的应用于前景和商业价值。
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